Hard disk de 500 GB para Laptop

La empresa Hitachi anuncia el Travelstar 5K500, el disco duro de 500 GB para computadoras portátiles.

Es la unidad de mayor capacidad creada hasta el momento en una unidad de 2.5 pulgadas. Se espera que la primera computadora, con este disco duro, salga al mercado en febrero de este año, y la empresa Taiwanesa Asustek anuncia que utilizará dos unidades de ese tipo para crear la primera laptop con capacidad de 1 terabyte.

Hace solo un año se podía obtener capacidades de 1 TeraByte en computadoras de escritorio o en sistemas de almacenamiento externo.

Según Hitachi, este disco duro es capaz de almacenar 500 horas de video digital, 250 juegos, 125 000 canciones de 4 minutos, etc.

Actualmente el disco duro de mayor capacidad en el mercado para computadoras portátiles es de 320 GB, de Western Digital Corp.

Sin embargo parece que este disco duro es de mayor tamaño (mas alto) que los discos duros actuales, lo que no permitiría que se pudiera instalar en LapTops fabricadas hasta ahora y hay que tomar también en cuenta que parece haberse sacrificado velocidad (el disco duros gira a menos revoluciones por minuto) en beneficio del almacenamiento.

Memoria electrónica mil veces más veloz y capaz de guardar datos durante cien mil años

Ritesh Agarwal, Se-Ho Lee y Yeonwoong Jung han desarrollado un nanocable autoensamblable de teluro de antimonio y germanio, un material con cambio de fase que alterna entre estructuras amorfas y cristalinas, la clave para leer y escribir memorias de ordenadores. La fabricación de los nanodispositivos, de apenas 100 átomos de diámetro, fue realizada sin la litografía convencional, proceso de fabricación un tanto burdo que utiliza productos químicos fuertes y que produce con frecuencia materiales inutilizables, con limitaciones de espacio, tamaño y eficiencia.

En lugar de la litografía convencional, los investigadores usaron autoensamblaje, un proceso en el cual los reactantes químicos se cristalizan a bajas temperaturas mediante la acción de nanocatalizadores metálicos, para formar espontáneamente nanocables de 30-50 nanómetros de diámetro y 10 micrómetros de longitud, y fabricaron entonces dispositivos de memoria en substratos de silicio.

Los resultados de las pruebas han mostrado un consumo extremadamente menor de energía para la codificación de datos (0,7 mW por bit). También han demostrado que la escritura, borrado y recuperación de datos (50 nanosegundos) es mil veces más rápida que en las memorias Flash convencionales. E incluso apuntan a que el dispositivo no perderá información después de unos 100.000 años de uso, todo ello con el potencial de materializar dispositivos de memoria no volátil con densidades del orden de los terabits.

Esta nueva forma de memoria representa una posible revolución en la manera en que accedemos a la información y la almacenamos.

La memoria de cambio de fase, en general, se caracteriza por una lectura/escritura más rápida, mejor durabilidad y construcción más sencilla en comparación con otras tecnologías de memoria tales como la Flash. El desafío ha sido reducir el tamaño de los materiales de cambio de fase a través de técnicas litográficas convencionales sin dañar sus propiedades útiles. Los nanocables de cambio de fase, como los creados por los investigadores de la Universidad de Pensilvania, brindan una nueva estrategia útil para lograr memorias ideales que proporcionen un control de los datos almacenados eficiente y duradero, varios órdenes de magnitud por encima de las tecnologías actuales.

Mejoran la capacidad de escribir y almacenar datos en dispositivos electrónicos

En la actualidad, muchos ordenadores usan memorias de acceso aleatorio dinámicas (DRAM por sus siglas en inglés), en las que cada unidad de información digital binaria, o bit, se almacena en un condensador independiente en un circuito integrado. El experimento de Bode se centró en memorias de acceso aleatorio magnetorresistivas (MRAM por sus siglas en inglés), las cuales guardan la información en elementos de almacenamiento magnéticos que constan de dos capas ferromagnéticas entre las que se intercala un delgado separador no magnético. Mientras una de las dos capas permanece polarizada en una dirección constante, la otra capa se polariza mediante la aplicación de un campo magnético externo, en la misma dirección de la capa superior (para un "0") o bien en la dirección opuesta (para un "1").

Comúnmente, las MRAM son conmutadas mediante campos magnéticos. A medida que se ha reducido el tamaño del bit en cada generación sucesiva de ordenadores para acomodar más memoria en la misma área física, se ha incrementado la vulnerabilidad frente a errores. En esta adversa situación, el campo magnético puede conmutar la magnetización de no sólo el bit objetivo, sino también la de sus bits vecinos. Usando la punta del Microscopio STM, que tiene capacidad para resolver estructuras de hasta un solo átomo, los científicos pudieron eliminar ese efecto.

IBM anuncia súper computadoras de bolsillo

IBM ha anunciado un hito en el desarrollo de la tecnología para microprocesadores del futuro. La tecnología implica que los pequeños semiconductores de cobre instalados en el núcleo de los procesadores pronto serán sustituidos por conexiones ópticas. Así, en lugar de impulsos eléctricos, se usarán las señales de luz para el intercambio de datos en el procesador. Esto hará que tales dispositivos sean cien veces más veloces, en tanto que el consumo eléctrico sólo será de un 10% con respecto a los modelos actuales.

Según IBM, la tecnología resultará en la producción de procesadores integrados por decenas de miles de núcleos, que podrán aportar la misma capacidad de cálculo que los actuales súper computadores. En palabras de IBM, se tratará de “un tipo de computadora que usará la misma corriente eléctrica que una pequeña lámpara".

La idea no es nueva, pero se trata de la primera vez que los investigadores de IBM han logrado crear un prototipo funcional de un pequeño modulador que convierte las señales eléctricas en luz y viceversa. El modulador tiene un tamaño entre 100 a 1000 veces más reducido que los prototipos anteriores.

IBM usará su propio procesador Cell, de PlayStation 3 como ejemplo. El procesador en cuestión contiene 15 núcleos en un solo chip. Los procesadores Cell del futuro deberán contener entre 100 a 1000 kernels, a la vez que tendrán una capacidad de comunicación 100 veces superior a la actual.

Vision artificial

Robótica y visión artificial para el reconocimiento de señales de tráfico. Proyecto fin de carrera de Carlos Moreno. Murcia. España.