Ritesh Agarwal, Se-Ho Lee y Yeonwoong Jung han desarrollado un nanocable autoensamblable de teluro de antimonio y germanio, un material con cambio de fase que alterna entre estructuras amorfas y cristalinas, la clave para leer y escribir memorias de ordenadores. La fabricación de los nanodispositivos, de apenas 100 átomos de diámetro, fue realizada sin la litografía convencional, proceso de fabricación un tanto burdo que utiliza productos químicos fuertes y que produce con frecuencia materiales inutilizables, con limitaciones de espacio, tamaño y eficiencia.
En lugar de la litografía convencional, los investigadores usaron autoensamblaje, un proceso en el cual los reactantes químicos se cristalizan a bajas temperaturas mediante la acción de nanocatalizadores metálicos, para formar espontáneamente nanocables de 30-50 nanómetros de diámetro y 10 micrómetros de longitud, y fabricaron entonces dispositivos de memoria en substratos de silicio.
Los resultados de las pruebas han mostrado un consumo extremadamente menor de energía para la codificación de datos (0,7 mW por bit). También han demostrado que la escritura, borrado y recuperación de datos (50 nanosegundos) es mil veces más rápida que en las memorias Flash convencionales. E incluso apuntan a que el dispositivo no perderá información después de unos 100.000 años de uso, todo ello con el potencial de materializar dispositivos de memoria no volátil con densidades del orden de los terabits.
Esta nueva forma de memoria representa una posible revolución en la manera en que accedemos a la información y la almacenamos.
La memoria de cambio de fase, en general, se caracteriza por una lectura/escritura más rápida, mejor durabilidad y construcción más sencilla en comparación con otras tecnologías de memoria tales como la Flash. El desafío ha sido reducir el tamaño de los materiales de cambio de fase a través de técnicas litográficas convencionales sin dañar sus propiedades útiles. Los nanocables de cambio de fase, como los creados por los investigadores de la Universidad de Pensilvania, brindan una nueva estrategia útil para lograr memorias ideales que proporcionen un control de los datos almacenados eficiente y duradero, varios órdenes de magnitud por encima de las tecnologías actuales.
En lugar de la litografía convencional, los investigadores usaron autoensamblaje, un proceso en el cual los reactantes químicos se cristalizan a bajas temperaturas mediante la acción de nanocatalizadores metálicos, para formar espontáneamente nanocables de 30-50 nanómetros de diámetro y 10 micrómetros de longitud, y fabricaron entonces dispositivos de memoria en substratos de silicio.
Los resultados de las pruebas han mostrado un consumo extremadamente menor de energía para la codificación de datos (0,7 mW por bit). También han demostrado que la escritura, borrado y recuperación de datos (50 nanosegundos) es mil veces más rápida que en las memorias Flash convencionales. E incluso apuntan a que el dispositivo no perderá información después de unos 100.000 años de uso, todo ello con el potencial de materializar dispositivos de memoria no volátil con densidades del orden de los terabits.
Esta nueva forma de memoria representa una posible revolución en la manera en que accedemos a la información y la almacenamos.
La memoria de cambio de fase, en general, se caracteriza por una lectura/escritura más rápida, mejor durabilidad y construcción más sencilla en comparación con otras tecnologías de memoria tales como la Flash. El desafío ha sido reducir el tamaño de los materiales de cambio de fase a través de técnicas litográficas convencionales sin dañar sus propiedades útiles. Los nanocables de cambio de fase, como los creados por los investigadores de la Universidad de Pensilvania, brindan una nueva estrategia útil para lograr memorias ideales que proporcionen un control de los datos almacenados eficiente y duradero, varios órdenes de magnitud por encima de las tecnologías actuales.
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